意法半导体(鲁塞)公司P·弗纳拉获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112307524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010715662.2，技术领域涉及：G06F21/79；该发明授权用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路是由P·弗纳拉;F·马里内特设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路。一种集成电路存储器，包括：状态晶体管，具有浮置栅极，该状态晶体管存储相应数据值。一种器件，用于保护在存储器中存储的数据，包括电容性结构，该电容性结构具有耦合到状态晶体管的浮置栅极的第一导电体、介电体、以及耦合到接地端子的第二导电体。介电体被配置为，如果水溶液与介电体接触，则电耦合浮置栅极和接地端子，以便修改在浮置栅极上的电荷，并且丢失对应数据，否则电隔离浮置栅极和接地端子。
本发明授权用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 存储器，包括状态晶体管，所述状态晶体管包括浮置栅极，其中所述状态晶体管被配置为将代表相应数据值的电荷存储在所述状态晶体管的浮置栅极中； 用于保护在所述存储器中存储的所述数据的器件，所述器件包括电容性结构，所述电容性结构包括： 第一导电体，耦合到所述状态晶体管的所述浮置栅极； 介电体；以及 第二导电体，耦合到接地端子； 其中所述介电体被配置为： 如果水溶液与所述介电体接触，则电耦合所述浮置栅极和所述接地端子，以便修改在所述浮置栅极上的所述电荷，并且丢失所对应的数据；以及 否则，电隔离所述浮置栅极和所述接地端子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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