中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李强获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010537255.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由李强设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形方法，结构包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。所述半导体结构的性能得到改善。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 待刻蚀层； 位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子，所述防扩散离子的离子半径大于扩散离子的离子半径，所述过渡结构包括第一过渡层和位于第一过渡层上的硬掩膜层，所述防扩散离子位于所述第一过渡层、硬掩膜层中的任意一层或两层内，所述第一过渡层的材料与所述待刻蚀层表面材料的刻蚀选择比不同，所述第一过渡层的材料与所述硬掩膜层的刻蚀选择比不同； 位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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