株式会社LG新能源李恩政获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社LG新能源申请的专利锂二次电池用正极和包含其的锂二次电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113748536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080031804.1,技术领域涉及:H01M4/13;该发明授权锂二次电池用正极和包含其的锂二次电池是由李恩政;金起焕;金容赞;金忍哲;朴相俊设计研发完成,并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本锂二次电池用正极和包含其的锂二次电池在说明书摘要公布了:提供锂二次电池用正极和包含其的锂二次电池,该正极包含:集电器;和正极活性材料层,设置有位于该集电器至少一个表面上的多个正极活性材料,和位于该正极活性材料的表面上和孔内部以及该多个正极活性材料之间的间隙内的原子层沉积涂层。该原子层沉积涂层的厚度为0.2nm至1nm。若将该正极活性材料层在厚度方向上五等分,将与该集电器呈表面接触的该正极活性材料层的部分称为最下段正极活性材料层,并将离该集电器最远的该正极活性材料层的表面部分称为最上段正极活性材料层,则该最下段正极活性材料层的原子层沉积涂层的含量相比于该最上段正极活性材料层的原子层沉积涂层的含量的比率为至少40重量%。另外,该锂二次电池的孔隙率为15%至35%。
本发明授权锂二次电池用正极和包含其的锂二次电池在权利要求书中公布了:1.一种锂二次电池用正极,包含: 集电器;和 正极活性材料层,包含设置在所述集电器的至少一个表面上的多个正极活性材料、以及设置在所述正极活性材料的表面和孔中以及所述多个正极活性材料之间的间隙中的原子层沉积涂层, 其中所述原子层沉积涂层的厚度为0.2nm至小于1nm, 当将所述正极活性材料层在厚度方向上五等分,将与所述集电器接触的所述正极活性材料层的部分称为最下段正极活性材料层,并且将离所述集电器最远的所述正极活性材料层的表面部分称为最上段正极活性材料层时,所述最下段正极活性材料层的原子层沉积涂层的量相比于所述最上段正极活性材料层的原子层沉积涂层的量的比率为40重量%至120重量%,并且 所述正极具有15%至35%的孔隙率, 其中所述原子层沉积是通过在正极活性材料层的表面上注入沉积材料的前体、注入水蒸气和在每个步骤之间注入惰性气体来进行的。
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