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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010454921.0，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨广立设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的集电区；位于集电区上的基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反；位于基区内的过渡区，过渡区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反，且过渡区的底部高于基区的底部，过渡区的顶部低于基区的顶部。由于过渡区可以作为集电区的延伸，进而使得有效的基区变窄，从而增大电流放大系数β；在进行集电区与发射区之间的击穿电压BVceo检测时，位于过渡区底部的基区会帮助过渡区耗尽，从而使得集电区与发射区之间的击穿电压增大。另外，集电区不能够被过渡区简单的进行取代，这是由于集电区将位于过渡区顶部和底部的基区进行包围，有效的隔绝电流直接流向衬底，避免了噪声的产生。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的集电区； 位于所述集电区上的基区，所述基区的掺杂类型与所述集电区的掺杂类型相反，且所述基区的底部高于所述集电区的底部，所述基区采用对所述集电区进行离子注入形成； 位于所述基区内的过渡区，所述过渡区的掺杂类型与所述基区的掺杂类型相反，且所述过渡区的底部高于所述基区的底部，所述过渡区的顶部低于所述基区的顶部； 位于所述基区上的发射区，所述发射区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反，且所述发射区的底部高于所述基区的底部，所述发射区采用对所述基区进行离子注入形成；其中， 所述集电区将位于所述过渡区顶部和底部的所述基区进行包围，隔绝电流直接由所述基区流向所述衬底； 所述过渡区的顶部与所述基区顶部之间的距离小于所述过渡区下方的所述集电区顶部和所述基区顶部之间的距离，在所述发射区的多数载流子注入到所述基区后，所述发射区的多数载流子渡越所述基区到达过渡区的过程中，减少了所述发射区的多数载流子与所述基区中的多数载流子的复合耗损，提升了所述发射区的多数载流子到达所述过渡区的数量，并且在通电时所述过渡区与所述集电区之间形成电路导通，到达所述过渡区的发射区的多数载流子直接被所述集电区收集形成集电区电流，以此增大电流放大系数β。

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