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龙图腾网获悉德克特里斯股份公司申请的专利辐射检测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100799.5，技术领域涉及：G01T1/17；该发明授权辐射检测器及其制造方法是由A·G·塔博阿达;P·赞邦;M·里西;R·施尼德;M·博赫内克;A·延森设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本辐射检测器及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种用于对辐射进行位置分辨检测的辐射检测器以及制造这种辐射检测器的方法。辐射检测器包括具有对辐射敏感的传感器材料的至少一个传感器贴片1，传感器贴片1限定水平平面；与传感器材料接触的导电材料的一组像素2；至少一个ASIC5,具有与像素2电连接的输入触件4，其中至少一个输入触件4相对于对应像素2水平偏移；以及在至少一个传感器贴片1和至少一个ASIC5之间的再分布层10，再分布层10包括将输入触件4与对应的像素2电连接的导体轨道11。导体轨道11中的至少一个导体轨道与至少一个与对应像素不同的交叉像素交叉。至少一个交叉像素具有与导体轨道11的突起的至少一部分对应的导电材料的空隙14。以这种方式，可以最小化或避免不同像素2之间的寄生电容，并且提高位置分辨图像的质量。

本发明授权辐射检测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于对辐射进行位置分辨检测的辐射检测器，包括： −具有对辐射敏感的传感器材料的至少一个传感器贴片（1），传感器贴片（1）限定水平平面， −与传感器材料接触的导电材料的一组像素（2）， −分配给所述至少一个传感器贴片（1）的至少一个ASIC（5），所述至少一个ASIC（5）具有与像素（2）电连接的输入触件（4），其中至少一个输入触件（4）相对于对应像素（2）水平偏移， −在所述至少一个传感器贴片（1）和所述至少一个ASIC（5）之间的再分布层（10），所述再分布层（10）包括将输入触件（4）与对应像素（2）电连接的导体轨道（11）， 其中导体轨道（11）中的至少一个导体轨道与不同于对应像素的至少一个交叉像素交叉， 其中所述至少一个交叉像素具有与交叉导体轨道（11）的投影的至少一部分对应的空隙（14），其中所述空隙（14）不具有任何导电材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人德克特里斯股份公司，其通讯地址为：瑞士巴登-达特维尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。