北京北方华创微电子装备有限公司张海苗获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利晶圆刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010305870.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权晶圆刻蚀方法是由张海苗;林源为;崔咏琴;唐希文设计研发完成，并于2020-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶圆刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽；氧化刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面；沉积步骤，在光滑的沉积表面沉积聚合物层；刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；重复沉积步骤和刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。沉积步骤在刻蚀槽的底部和侧壁形成具有平滑界面的氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面，有利于后续沉积得到均匀而连续的聚合物层，改善刻蚀工艺的均匀性，刻蚀氧化层还可以扩大刻蚀槽的深宽比，有利于反应物和副产物进出刻蚀槽的深硅结构。
本发明授权晶圆刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括： 预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在所述晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽； 氧化刻蚀步骤，对所述刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀所述氧化层，获得光滑的沉积表面； 沉积步骤，在所述光滑的沉积表面沉积聚合物层； 刻蚀步骤，对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀； 重复所述沉积步骤和所述刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽； 所述沉积步骤还包括： 计算所述晶圆边缘预设位置处刻蚀槽的内壁和外壁沉积聚合物层的厚度差异导致的不均匀度，分别获得气流场和电磁场对刻蚀的影响因子；根据所述影响因子选择对电磁场和或气流场进行优化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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