福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210383675.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由颜逸飞;冯立伟设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器，通过在所述衬底上形成多个遮蔽图案，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述遮蔽图案可以同时作为衬底上的遮蔽层和保护所述字线结构的栅绝缘层，相较于现有的存储器的形成方法，本发明可以省略去除衬底上的栅绝缘层、栅介质层以及在衬底上重新形成遮蔽层的步骤，从而简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且不会对存储器的性能产生影响；并且，通过第一气隙和第二气隙可以减小导电图案之间的寄生电容，提高存储器的性能。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中包括沿着第一预定方向延伸的多个字线沟槽，所述字线沟槽内具有栅介质层，所述栅介质层覆盖所述字线沟槽的内壁； 多条字线结构，位于所述栅介质层上，并填充部分深度的字线沟槽；以及， 多个遮蔽图案，位于所述衬底上，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述位于所述字线结构上的遮蔽图案还延伸至所述衬底的顶表面； 所述遮蔽图案包括第一膜层，所述第一膜层至少覆盖剩余深度的字线沟槽的侧壁并与所述栅介质层直接接触，所述第一膜层还延伸至所述衬底上，位于所述字线沟槽内的所述第一膜层的顶表面与位于所述衬底上的所述第一膜层的顶表面不在同一平面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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