克利公司丹尼尔·詹纳·利希滕瓦尔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉克利公司申请的专利具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113950737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080043067.7，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片是由丹尼尔·詹纳·利希滕瓦尔纳;爱德华·罗伯特·范·布伦特设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片在说明书摘要公布了：晶体管半导体芯片包括漂移层、第一介电层、第一金属化层、第二介电层、第二金属化层、第一多个电极以及第二多个电极。第一介电层在漂移层上方。第一金属化层在第一介电层上方，使得第一金属化层的至少一部分提供第一接触垫。第二介电层在第一金属化层上方。第二金属化层在第二介电层上方，使得第二金属化层的至少一部分提供第二接触垫并且第二金属化层与第一金属化层至少部分重叠。晶体管半导体芯片被配置为基于在第二接触垫处所提供的信号而在第一接触垫与第三接触垫之间选择性地传导电流。
本发明授权具有增加的有源面积的晶体管半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种晶体管半导体芯片，包括： ●漂移层； ●第一介电层，在所述漂移层上； ●第一金属化层，在所述第一介电层上，其中，所述第一金属化层的至少一部分提供第一接触垫； ·第二介电层，在所述第一金属化层上； ●栅极金属化层，在所述第二介电层上，使得所述栅极金属化层的至少一部分提供栅极接触垫； ·第一多个电极，电耦合至所述第一金属化层并且被所述第一介电层覆盖； ·多个栅电极，电耦合至所述栅极金属化层，使得所述晶体管半导体芯片被配置为基于在所述栅极接触垫处所提供的信号而在所述第一接触垫与第三接触垫之间选择性地传导电流； ·至少一个栅极接触过孔，延伸通过所述第一介电层和所述第二介电层，以将所述栅极接触垫电连接至所述多个栅电极； ●边缘终止区域；以及 ·设备区域，在所述边缘终止区域内，其中，在所述设备区域内的总无源面积小于所述栅极接触垫的面积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人克利公司，其通讯地址为：美国北卡罗来纳州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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