中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010252066.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电磁膜；在所述第一电磁膜表面形成隧道膜；采用第一加热工艺，对所述第一电磁膜和所述隧道膜进行热处理；在对所述第一电磁膜和所述隧道膜进行热处理后，在所述隧道膜表面形成第二电磁膜。从而，提高磁隧道结的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成第一电磁膜； 采用第二加热工艺，对所述第一电磁膜进行热处理，采用第二加热工艺的步骤中，针对第一电磁膜调整工艺参数；对所述第一电磁膜进行热处理后，在所述第一电磁膜表面形成隧道膜； 采用第一加热工艺，对所述第一电磁膜和所述隧道膜进行热处理，采用第一加热工艺的步骤中，针对隧道膜调整工艺参数，以减少第一电磁膜材料和隧道膜材料之间的相互扩散； 在对所述第一电磁膜和所述隧道膜进行热处理后，在所述隧道膜表面形成第二电磁膜； 采用第三加热工艺，对所述第二电磁膜进行热处理，采用第三加热工艺的步骤中，针对第二电磁膜调整工艺参数，以减少第一电磁膜材料、隧道膜材料和第二电磁膜材料之间的相互扩散。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号