三星电子株式会社;国际商业机器公司郑在佑获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社;国际商业机器公司申请的专利具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111554807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010078380.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物是由郑在佑;斯图尔特·S·P·帕金;希拉格·加尔各;马赫什·G·萨曼特;帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波;亚里·费兰特设计研发完成，并于2020-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物在说明书摘要公布了：描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层用作间隔件层在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金的交替层，并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru1‑xEx，x在从0.45至0.55的范围内。MRAM元件可通过依次形成衬底、所述多层结构、隧道势垒和额外磁层其磁矩可切换而构成。
本发明授权具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物在权利要求书中公布了：1.一种磁性器件，包括： 多层结构，其包括： 第一层，其包括第一磁性Heusler化合物； 第二层，其在室温下为非磁性的，所述第二层如下：接触和覆盖所述第一层；并且包括Ru以及Al二者，其中所述第二层的成分表示为Ru1-xAlx，x在从0.45至0.55的范围内，所述第二层的厚度在 至的范围内；以及 第三层，其接触和覆盖所述第二层，所述第三层包括第二磁性Heusler化合物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;国际商业机器公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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