株式会社国际电气竹田刚获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099710.5，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质是由竹田刚;原大介设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。该技术具备：反应管，其具有处理基板的处理室和形成等离子体的缓冲室；以及加热装置，其对反应管进行加热，在缓冲室具备：被施加高频电力且长度不同的至少两个施加电极；被赋予基准电位的基准电极；以及保护施加电极和基准电极的电极保护管。
本发明授权基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、等离子体生成方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备： 处理室，其处理基板；以及 缓冲室，其形成等离子体， 在上述缓冲室具备：被施加高频电力且相对于与上述基板的表面垂直的方向长度不同的至少两个施加电极；以及被赋予基准电位的基准电极，该至少两个施加电极以前端部相对于与上述基板的表面垂直的方向位于不同的位置的方式配置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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