ASM IP控股有限公司D·科恩获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP控股有限公司申请的专利用于沉积经掺杂锗锡半导体的方法和相关半导体装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109427547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810725750.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于沉积经掺杂锗锡半导体的方法和相关半导体装置结构是由D·科恩;H·B·普罗菲特设计研发完成，并于2018-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于沉积经掺杂锗锡半导体的方法和相关半导体装置结构在说明书摘要公布了：公开一种用于沉积锗锡Ge1‑xSnx半导体的方法。所述方法可包含：在反应腔室内提供衬底；将所述衬底加热到沉积温度；以及将所述衬底暴露于锗前体和锡前体。所述方法可进一步包含：将锗锡Ge1‑xSnx半导体沉积在所述衬底的表面上；以及将所述锗锡Ge1‑xSnx半导体暴露于硼掺杂剂前体。还提供包含通过本公开的方法形成的锗锡Ge1‑xSnx半导体的半导体装置结构。
本发明授权用于沉积经掺杂锗锡半导体的方法和相关半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种沉积经掺杂锗锡（Ge1-xSnx）半导体的方法，包括： 在反应腔室内提供衬底； 将所述衬底加热到沉积温度； 将所述衬底暴露于锗前体和锡前体； 将锗锡（Ge1-xSnx）半导体沉积在所述衬底的表面上； 在将所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体沉积在所述衬底的表面上之后从所述反应腔室移除所述锗前体和所述锡前体； 将所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体暴露于硼掺杂剂前体；以及 在将所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体暴露于硼掺杂剂前体之后，退火所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体， 其中将所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体暴露于硼掺杂剂前体在沉积所述锗锡（Ge1-xSnx）半导体的反应腔室内进行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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