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龙图腾网获悉深圳市青虹激光科技有限公司申请的专利一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120533295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511037807.7，技术领域涉及：B23K26/36；该发明授权一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法及装置是由高昆;王国军;叶树铃;李成设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法及装置，属于激光刻划技术领域。针对传统异形刻划存在的响应滞后、行程受限、拼接误差等问题，本方法通过承载平台与振镜协同控制实现复杂异形路径刻划：获取包含直线路径与异形路径的图形，控制承载平台沿x轴匀速平移完成直线刻划；根据触发条件实时获取异形路径的预期刻划速度V_s，解析生成承载平台y轴横移与振镜微调指令并同步执行；结束后恢复直线刻划。装置包括路径解析、平台控制、触发、指令生成及结束模块。该方法实现了异形路径与直线段的无缝衔接，刻划精度、效率及良率显著提升，满足钙钛矿薄膜电池高一致性刻划需求。

本发明授权一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜电池的振镜异形划线控制方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取钙钛矿薄膜电池薄膜层的刻划线的异形路径图形，所述异形路径图形包括直线路径和至少1个异形路径，标记直线路径的方向为x轴方向，薄膜层与x轴方向垂直的方向为y轴方向，薄膜层的垂直方向为z轴方向； 控制钙钛矿薄膜电池通过承载平台以基础速度V_0沿x轴方向平移以被激光聚焦刻划头的聚焦激光进行直线路径的激光刻划； 根据异形路径图形获取异形路径的刻划触发条件，当触发刻划触发条件时，实时获取激光聚焦刻划头在异形路径上聚焦刻划点的预期刻划速度V_s，所述聚焦刻划点为聚焦激光在薄膜层的聚焦焦点； 解析预期刻划速度V_s的刻划速度绝对值和刻划速度方向获取承载平台的y轴横移控制指令和激光聚焦刻划头的振镜微调控制指令，同步执行所述承载平台的y轴横移控制指令和振镜微调控制指令以执行异形路径的激光刻划； 当结束异形路径的刻划触发条件时，激光聚焦刻划头恢复直线路径的激光刻划或结束激光刻划； 其中，所述异形路径的刻划触发条件包括： 根据异形路径图形计算聚焦激光刻划头的聚焦激光沿直线路径的刻划距离并预计算异形路径的触发时间和结束时间； 或，根据异形路径图形获取激光聚焦刻划头的聚焦激光在钙钛矿薄膜电池的薄膜层上的刻划轨迹，实时检测聚焦刻划点在刻划轨迹上的位置并在聚焦刻划点达到异形路径起点时触发刻划触发条件，在聚焦刻划点到达异形路径终点时结束刻划触发条件； 其中，所述激光聚焦刻划头在异形路径上的聚焦刻划点的预期刻划速度V_s包括异形刻划速度绝对值和异形刻划速度方向，所述异形刻划速度绝对值为聚焦激光沿异形路径刻划的实时速度绝对值，所述异形刻划速度方向为聚焦激光沿异形路径刻划的路径方向，或聚焦激光沿曲线异形路径刻划的切线方向。

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