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龙图腾网获悉南昌航空大学申请的专利一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120490273B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511001480.8，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法是由王荣彪;徐向东;程云瑞;陈永志;徐志远;宋凯设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法，包括：通过交流电产生激励磁场，对待检测样件进行磁化，获取待检测样件缺陷产生的漏磁场信号，待检测样件为铁磁性材料，通过传感器检测漏磁场信号的变化，确定所述漏磁场信号的上升时间点，基于上升时间点判断待检测样件的缺陷埋深。本申请建立了上升时间点与缺陷埋深的数学模型，实现了缺陷埋深位置的精确确定。同时，本申请还对比了不同缺陷宽度、缺陷形状和缺陷深度的信号特征，发现上升时间点与缺陷宽度和缺陷形状无关，并提取了上升时间点的分布规律，得到同一埋深下的不同缺陷深度判断依据，显著提高了缺陷检测的准确性和可靠性。

本发明授权一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于交流漏磁的铁磁性材料缺陷快速层析方法，其特征在于，包括以下步骤：S101:通过交流电产生激励磁场，对待检测样件进行磁化，待检测样件为铁磁性材料，获取所述待检测样件缺陷产生的漏磁场信号; S102:通过传感器检测所述漏磁场信号的变化，确定所述漏磁场信号的上升时间点; S103:基于所述上升时间点判断所述待检测样件的缺陷埋深，得到上升时间点与缺陷埋深的线性回归模型，以及仿真所述上升时间点与缺陷埋深、缺陷形状、缺陷宽度和缺陷深度的关系，验证上升时间点与缺陷埋深、缺陷形状、缺陷宽度和缺陷深度的相关性，并根据实际测量结果与仿真结果判定线性回归模型是否正确； 所述确定所述漏磁场信号的上升时间点，包括：获取所述漏磁场信号的幅值变化曲线，根据所述幅值变化曲线划分漏磁场信号特征的三个阶段，第一阶段为磁屏蔽层屏蔽时的低幅值阶段，第二阶段为磁屏蔽层移过缺陷时的线性增加阶段，第三阶段为磁屏蔽层移开后的剧烈增加阶段，确定所述第一阶段至第二阶段的过渡点为上升时间点,所述第二阶段至第三阶段的过渡点为突变时间点； 所述基于所述上升时间点判断所述待检测样件缺陷埋深，包括：获取不同缺陷埋深对应的上升时间点，通过对比所述上升时间点，建立上升时间点与缺陷埋深的数学模型，根据所述数学模型确定所述上升时间点对应的缺陷埋深，所述上升时间点与缺陷埋深呈线性关系,线性回归模型为： ，；其中x为缺陷埋深，t1为上升时间点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌航空大学，其通讯地址为：330000 江西省南昌市红谷滩区丰和南大道696号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。