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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种高可靠性的通讯接口电路、通讯芯片及其通讯设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120498442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510993042.8，技术领域涉及：H03K19/018；该发明授权一种高可靠性的通讯接口电路、通讯芯片及其通讯设备是由李良;任罗伟;林献水;黄坚;来鹏飞;高灿灿设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性的通讯接口电路、通讯芯片及其通讯设备在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种高可靠性的通讯接口电路、通讯芯片及其通讯设备。包括：TX发送模块，接入TX端口和BUS_O端口之间，作为数据发送通路；包括：电阻R0~R4、三极管N1和三极管N3；RX接收模块，接入RX端口和BUS_I端口之间，作为数据接收通路；包括：电阻R6~R9和三极管N4~N5；还包括限流单元，所述限流单元包括：三极管N2和电阻R3~R4。本发明可减小PCB的面积或降低PCB的设计成本，大幅度的节约外围器件的成本；可通过不同的封装打线形式让单颗芯片实现双线通讯、单线通讯的功能，单芯片复用多功能。

本发明授权一种高可靠性的通讯接口电路、通讯芯片及其通讯设备在权利要求书中公布了：1.一种通讯接口电路，其特征在于，包括： TX发送模块，接入TX端口和BUS_O端口之间，作为数据发送通路；包括：电阻R0~R4、三极管N1和三极管N3；所述电阻R0的一端接入电源VDD，另一端接入电阻R1的一端和TX端口；所述电阻R1的另一端接入三极管N1的基极，所述三极管N1的发射极接地，所述三极管N1的集电极接入电阻R2的一端和三极管N3的基极，所述电阻R2的另一端接入电源VCC；所述三极管N3的发射极接地，所述三极管N3的集电极接入BUS_O端口； RX接收模块，接入RX端口和BUS_I端口之间，作为数据接收通路；包括：电阻R6~R9和三极管N4~N5；所述电阻R6的一端接入RX端口和三极管N4的集电极，所述电阻R6的另一端接入电源VDD；所述三极管N4的发射极接地，所述三极管N4的基极接入三极管N5的集电极和电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端接入电源VCC，所述三极管N5的发射极接地；所述三极管N5的基极接入电阻R8和电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端接地，所述电阻R8的另一端接入BUS_I端口； 还包括限流单元，所述限流单元包括：三极管N2和电阻R3~R4；所述三极管N2的集电极接入三极管N3的基极，所述三极管N2的基极接入电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端接入电阻R4的一端和三极管N3的发射极；所述电阻R4的另一端接入三极管N2的发射极并接地； 还包括两个过压保护单元，两个所述过压保护单元的一端共同接入所述三极管N1的基极，另一端分别接入BUS_O端口和BUS_I端口； 所述过压保护单元由依次串联的两个二极管和电阻构成；其中一个二极管为稳压管，并作为所述过压保护单元的输入端接入所述三极管N1的基极。

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