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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510961802.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制法及应用是由林朝晖;林楷睿;黄巍辉;张超华;谢艺峰设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制法及应用，包括：S5、采用激光晶化技术，对叠加在第一半导体层上且靠近第一开口区边缘的部分第二半导体层进行晶化处理，得到晶化区域；S6、形成与第一开口区间隔排列的第二开口区；S7、背面沉积透明导电膜层；S8、形成隔离槽，且隔离槽的至少部分对应晶化区域，晶化区域、第一掺杂多晶硅层、透明导电膜层形成反向漏电通道PN结。本发明使得反向漏电通道PN结反向漏电能力显著增加，达到分散反向漏电流、减少电池热斑效应的效果，同时获得较高的电池效率；可取消旁路二极管使用，减少成本，减少电池衰减，增加发电量。

本发明授权精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制法及应用在权利要求书中公布了：1.一种精准设置反向漏电通道的联合钝化背接触电池制备方法，包括：在硅片背面形成交替间隔排布的第一半导体层，且相邻的两个第一半导体层之间形成第一开口区，第一开口区内对应硅片为制绒面，之后背面沉积第二半导体层；其中，第一半导体层包含依次设置的隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包含依次设置的本征非晶硅层和第二掺杂晶硅层，第二掺杂晶硅层为对应掺杂的非晶硅或微晶硅，其特征在于，还包括如下步骤： S5、采用激光晶化技术，对叠加在第一半导体层上且靠近第一开口区边缘的部分第二半导体层进行晶化处理，得到晶化区域，且晶化区域与预设反向漏电通道PN结位置对应；并控制单个预设反向漏电通道对应的晶化区域的面积在0.0001mm2-0.5mm2； S6、在位于第一半导体层上的部分第二半导体层进行第二次刻蚀，形成与第一开口区间隔排列的第二开口区； S7、背面沉积透明导电膜层； S8、在位于第一开口区与第二开口区之间的叠加区域对应部分透明导电膜层上进行第三次刻蚀，形成隔离槽，且隔离槽的至少部分对应晶化区域，晶化区域、第一掺杂多晶硅层、透明导电膜层形成反向漏电通道PN结； S9、在第一开口区与第二开口区所在区域的对应透明导电膜层外表面分别形成金属电极。

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