全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510965721.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路。半导体器件包括衬底、第一区域、第二区域以及栅极。衬底包括凹槽。第一区域位于凹槽的底部。第一区域形成半导体器件的第一电极。第二区域位于凹槽的内侧壁处。第二区域包括向衬底的上表面延伸的第一区段和向第一区域延伸的第二区段。第一区段形成第二电极。第二区段形成沟道区。栅极被布置在凹槽内且邻近第二区段。栅极通过隔离层与第一区域和第二区域间隔开。利用这种布置，半导体器件通过在第二区域中建立垂直方向的导电路径来满足电流泄放的需求，而不需要在邻近上表面的衬底中建立横向电流泄放路径，从而减小了半导体器件的横向尺寸。
本发明授权半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 具有凹槽（101）的衬底（100）； 位于所述凹槽（101）的底部的第一区域（10），所述第一区域（10）形成第一电极； 位于所述凹槽（101）的内侧壁的第二区域（20），所述第二区域（20）包括向所述衬底（100）的上表面（110）延伸的第一区段（21）和向所述第一区域（10）延伸的第二区段（22），所述第一区段（21）形成第二电极，所述第二区段（22）形成沟道区；以及 栅极（30），被布置在所述凹槽（101）内且邻近所述第二区段（22），所述栅极（30）通过隔离层（40）与所述第一区域（10）和所述第二区域（20）间隔开。
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