电子科技大学刘立新获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510964313.7，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管及其制备方法和应用是由刘立新;韩嘉悦;苟君;俞航;窦晗;毛光旭;于贺;王军设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管及其制备方法和应用，属于光电二极管技术领域。该二极管包括从下至上依次层叠设置的导电衬底、第一吸光层、隧穿层、第二吸光层和金属电极；第一吸光层和第二吸光层形成I型能带异质结。本发明通过在I型异质结界面处引入极薄隧穿层构建隧穿型光电二极管，从而实现了通过调节外部偏压，即可连续、快速地调节隧穿型光电二极管的动态范围，使其能够适应不同的光照条件。在正偏压下，器件具有高增益，适合强光探测；在反偏压下，器件增益降低，避免强光下的饱和效应，适合中强光探测；在零偏压下，器件具有极低暗电流，优化的信噪比提高弱光探测灵敏度，适合弱光探测，从而实现高动态范围。
本发明授权一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种偏压调控动态范围的隧穿型光电二极管，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的导电衬底、第一吸光层、隧穿层、第二吸光层和金属电极； 第一吸光层和第二吸光层形成I型能带异质结； 所述金属电极为图案化电极，且金属电极不完全覆盖第二吸光层； 其中，第一吸光层的材料和第二吸光层的材料均为硅、锗、砷化镓、碲化铅、硫化铅、硒化铅、铟镓砷、磷化铟、碲镉汞中的任意一种，且第一吸光层的材料和第二吸光层的材料不同，禁带宽度也不同。
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