浙江大学郭清获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种SiC MOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510955370.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法及装置是由郭清;李君泽;盛况设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法及装置在说明书摘要公布了：一种SiCMOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法及装置，属于半导体器件检测技术领域，其中，所述方法包括如下步骤：获取相同状态时碳化硅MOSFET的动态特性数据和静态特性数据；所述相同状态为相同的漏源电压与相同的流经沟道电流；所述动态特性数据和静态特性数据包括栅源电压及同时刻的漏源电压和流经沟道电流；根据动态特性数据和静态特性数据，得到相同状态时的栅源电压差值，计算氧化物与碳化硅间的估计缺陷数量；根据估计缺陷数量，获得最终缺陷数量。本申请通过缺陷响应时间延时造成的SiCMOSFET动态和静态特性差异，计算栅氧和碳化硅界面缺陷数量，降低了缺陷评估成本。
本发明授权一种SiC MOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET中氧化物与碳化硅间缺陷数量评估方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取相同状态时碳化硅MOSFET的动态特性数据和静态特性数据；其中，所述相同状态为相同的漏源电压与相同的流经沟道电流；所述静态特性数据为能够响应的缺陷全部响应时的测试数据，所述动态特性数据为所有缺陷全部不响应时的测试数据；所述动态特性数据和静态特性数据包括栅源电压及同时刻的漏源电压和流经沟道电流； 根据动态特性数据和静态特性数据，得到相同状态时的栅源电压差值，计算氧化物与碳化硅间的估计缺陷数量； 根据估计缺陷数量，获得最终缺陷数量； 所述估计缺陷数量的计算公式包括如下： ； 其中，q为电子携带的电荷量，Ntraps为动态测试过程中未响应的缺陷数量，COX为碳化硅MOSFET的栅极电容，VGS3为静态栅源电压，VGS1为动态测试时的栅源电压。
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