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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120448691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510956087.8，技术领域涉及：G06F17/16；该发明授权一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法是由王欢鹏;何坤;崔永昕;徐跃杭设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法，属于射频与微波测量领域。该方法通过将可靠性测试夹具拆分为多个子结构，按照预设的射频端口顺序依次对各子结构进行S参数测量，并基于矩阵变换提取等效寄生矩阵与等效互耦矩阵。最终通过矩阵运算准确还原待测器件的本征S参数。该方法能够有效剥离可靠性测试夹具及其复杂结构引入的寄生效应和电磁耦合干扰，从而显著提升测试结果的准确性。相较于传统的去嵌入方法，本发明不仅适用于0–110GHz的宽频带范围，还具备面向复杂电磁环境的快速高精度去耦能力，适用于射频可靠性测试中的去嵌入处理。

本发明授权一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测试夹具的矩阵式电磁去耦增强型去嵌方法，其特征在于，该方法包括： 步骤1：构建由待测器件与可靠性测试夹具组成的整体测量结构，记为left-DUT-right，并结合耦合、寄生、电磁泄漏非理想效应的分布特征，将该结构拆分为五个功能子结构：left、left-DUT、DUT、DUT-right和right； left、left-DUT、DUT、DUT-right和right分别代表左侧夹具区域、左侧夹具-待测器件复合结构区域、待测器件区域、待测器件-右侧夹具区域，各子结构的射频端口激励顺序应与整体结构中的射频激励顺序严格保持一致； 步骤2：分别测量整体测量结构与五个功能子结构的S参数矩阵，并将其转换为ABCD矩阵，ABCD矩阵表示二端口网络中输入与输出之间电压、电流的线性关系，是描述网络传输特性的基本参数模型，下文用来表述结构的ABCD矩阵；基于矩阵运算原理，逐步提取夹具与待测器件之间的等效寄生矩阵及夹具间的等效互耦矩阵：、、；为left结构与DUT结构连接所引入的等效寄生ABCD矩阵；为DUT结构与right结构连接所引入的等效寄生ABCD矩阵；为五个功能子结构电磁兼容、电磁耦合产生的等效互耦矩阵； 步骤3：通过所提取的两个等效寄生ABCD矩阵及提取的一个等效互耦矩阵，通过如下方法提取待测器件的ABCD矩阵： ； 其中为去嵌入后的待测器件的ABCD矩阵，为与上述整体测量结构相同，并由于工艺影响或可靠性问题导致其ABCD矩阵在原本基础上出现可靠性退化后的矩阵； 步骤4：通过将去嵌入后的待测器件的ABCD矩阵转换为S参数矩阵，即完成可靠性测试夹具的矩阵式去嵌。

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