合肥晶合集成电路股份有限公司薛翔获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510958681.0，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法是由薛翔;郭哲劭;郭廷晃;朱正毅设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法在说明书摘要公布了：为了抑制非晶硅在后续工艺的热制程中发生重结晶，本发明提供了一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法；该非晶硅薄膜的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积形成非晶硅薄膜；在沉积过程中，使用的工艺气体中29Si原子的丰度大于其天然丰度，使用的工艺气体中30Si原子的丰度大于其天然丰度，或者，使用的工艺气体中29Si原子和30Si原子的丰度大于各自的天然丰度。
本发明授权一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶硅栅极结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层和栅介质层； 在所述栅介质层上形成牺牲栅极层； 在所述牺牲栅极层上形成硬掩膜层； 依次刻蚀所述硬掩膜层、所述牺牲栅极层、所述栅介质层和栅极氧化层，形成非晶硅栅极结构； 所述牺牲栅极层的制造方法包括：在沉积过程中，使用的工艺气体中29Si原子的丰度大于其天然丰度，使用的工艺气体中30Si原子的丰度大于其天然丰度，或者，使用的工艺气体中29Si原子和30Si原子的丰度大于各自的天然丰度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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