深圳市惠存半导体有限公司罗锡彦获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市惠存半导体有限公司申请的专利一种晶圆划片工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510957954.X，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种晶圆划片工艺是由罗锡彦;刁斌;赖辰辰;李天文设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆划片工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶圆划片工艺，包括：对锯街虚设铜导线线宽扩增并连续填充形成剪切缓冲铜带；对剪切缓冲铜带进行双脉冲激光退火生成孪晶软化层；依据铜带热塑转变温度实施背面红外梯度预热并结合振动数据耦合修正刀具进给速率与转速，获得塑性初始锯缝；按多档切深数据分层递进深切，使铜带在脉冲载荷下滑移吸能并经低介电层弹性复位，形成全深度锯缝；在氮气环境下执行恒温锁晶与梯度冷却，使铜带孪晶结构稳定并与介电层缩箍互锁，在锯缝侧壁生成柔性桥接单元。本发明技术方案能够在切割瞬间削峰分流层间剪切应力，抑制多层互连界面选择性分层，提高超薄片成品率与长期可靠性。
本发明授权一种晶圆划片工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆划片工艺，其特征在于，包括： 对锯街区域内的虚设铜导线进行线宽扩增处理，将扩增后的虚设铜导线进行连续填充，形成位于低介电常数介电层与钝化层之间且沿预设划片方向贯穿多层互连结构的剪切缓冲铜带； 对所述剪切缓冲铜带表面进行双脉冲激光退火处理，通过控制脉冲持续时间与能量密度在所述剪切缓冲铜带内部诱导形成孪晶结构，使所述剪切缓冲铜带的屈服强度低于相邻铜互连的屈服强度； 根据所述剪切缓冲铜带的热塑性转变温度对晶圆背面进行红外预热处理，使所述剪切缓冲铜带进入塑性变形状态，并根据获取的锯街区域振动数据调节刀具进给速率，形成初始切割锯缝； 根据所述初始切割锯缝对晶圆进行分层递进深切处理，所述剪切缓冲铜带在刀具脉冲载荷作用下发生滑移变形并通过低介电常数介电层的弹性作用复位，形成全深度切割锯缝； 对所述全深度切割锯缝进行氮气环境冷却处理，所述剪切缓冲铜带内部的孪晶结构稳定化并与相邻介电层形成机械约束结构，在锯缝侧壁形成桥接单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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