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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120440900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510942821.5，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法是由田新;王付刚;吴锋;徐玲锋设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法在说明书摘要公布了：本发明涉及作为半导体或太阳能产业的主原料使用的多晶硅沉积技术领域，尤其涉及一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法，该方法包括基于硅芯棒开始生长至符合生长标准过程中的平均温度波动值以及硅芯棒开始生长至符合生长标准的最大时间差值确定硅芯棒的稳定倾向类型；基于硅芯棒的稳定倾向类型确定基于硅芯棒的直径或基于硅芯棒的最大温度波动值确定是否引入交流电加热硅芯棒；基于交流电引入后预设时长内硅芯棒生长均匀程度的波动程度和或硅芯棒与进气口的最小距离确定获取沉积过程中密闭空间内气体扩散区域的图像数据，或开启进气口预热装置，本发明通过引入交直流电场综合调控多晶硅沉积过程提高了多晶硅沉积效率。

本发明授权一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种基于交直流综合调控的多晶硅沉积方法，其特征在于，包括： 采用直流电对硅芯棒进行预热以使硅芯棒温度到达初始反应温度，实时监测预热完成后硅芯棒开始生长至符合生长标准的温度数据以及硅芯棒的生长数据； 基于硅芯棒开始生长至符合生长标准过程中的平均温度波动值以及硅芯棒生长至符合生长标准的最大时间差值计算硅芯棒的稳定倾向值，并根据硅芯棒的稳定倾向值确定硅芯棒的稳定倾向类型； 计算硅芯棒的稳定倾向值包括： 获取硅芯棒开始生长至符合生长标准的的温度数据，计算硅芯棒开始生长至符合生长标准过程中不同时刻温度与平均温度的差值的平均值得到平均温度波动值； 记录硅芯棒不同位置从硅芯棒开始生长至符合生长标准的最早时间戳和最晚时间戳，得到最大时间差值； 将平均温度波动值与最大时间差值进行加权平均求和得到稳定倾向值； 确定硅芯棒的稳定倾向类型包括： 若硅芯棒的稳定倾向值小于预设稳定倾向值，确定硅芯棒的稳定倾向类型为强稳定倾向类型； 若硅芯棒的稳定倾向值大于或等于预设稳定倾向值，确定硅芯棒的稳定倾向类型为弱稳定倾向类型； 采用直流电加热硅芯棒，并基于硅芯棒的稳定倾向类型确定基于硅芯棒的直径和或基于硅芯棒的最大温度波动值确定是否引入交流电加热硅芯棒； 基于交流电引入后预设时长内硅芯棒生长均匀程度的波动程度以及硅芯棒与进气口的最小距离确定获取沉积过程中密闭空间内气体扩散区域的图像数据，或开启进气口预热装置； 基于沉积过程中密闭空间内气体扩散区域的图像数据确定气体扩散区域的气体像素点的平均间隔，并基于所述平均间隔与预设平均间隔的比对结果确定是否对硅芯棒生长影响参数进行调整。

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