青岛海存微电子有限公司李云鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利磁存储结构及磁存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120412678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510925785.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁存储结构及磁存储器是由李云鹏;李晓云;王林霞;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储结构及磁存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开一种磁存储结构及磁存储器，磁存储结构至少包括第一磁存储单元，第一磁存储单元至少包括：至少两个读晶体管、至少两个磁存储器件、至少一个写晶体管；每个读晶体管设置在与之对应的磁存储器件的读取通道上，写晶体管设置在与至少两个磁存储器件共用的写入通道上，且任一读晶体管、写晶体管与至少一个磁存储器件在第一方向上的正投影呈部分或全部重合；读晶体管和或写晶体管设置为薄膜晶体管，且薄膜晶体管的沟道与至少一个磁存储器件在第一方向上的正投影呈部分或全部重合；磁存储器件为自旋轨道矩磁存储器件。本申请微缩磁存储单元的尺寸，从而进一步节省版图面积及提高存储密度。
本发明授权磁存储结构及磁存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁存储结构，其特征在于，至少包括第一磁存储单元、第二磁存储单元和驱动电路，所述第一磁存储单元至少包括：至少两个读晶体管、至少两个磁存储器件、至少一个写晶体管； 每个所述读晶体管设置在与之对应的所述磁存储器件的读取通道上，所述写晶体管设置在与至少两个所述磁存储器件共用的写入通道上，且任一所述读晶体管、所述写晶体管与至少一个所述磁存储器件在第一方向上的正投影呈部分或全部重合； 所述读晶体管和或所述写晶体管设置为薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的沟道与至少一个所述磁存储器件在所述第一方向上的正投影呈部分或全部重合； 所述磁存储器件为自旋轨道矩磁存储器件； 所述第二磁存储单元通过所述驱动电路与所述第一磁存储单元电连接，且所述第二磁存储单元与所述第一磁存储单元在所述第一方向上的正投影呈部分或全部重合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266404 山东省青岛市黄岛区藏马大道100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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