中科华艺(天津)科技有限公司姜旭波获国家专利权
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龙图腾网获悉中科华艺(天津)科技有限公司申请的专利一种多类型mosfet芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510925765.4，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种多类型mosfet芯片封装结构是由姜旭波;范新月;赵微;张爽设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多类型mosfet芯片封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多类型mosfet芯片封装结构，包括一字排列的基岛，每个基岛连线的一侧分别设有与自身对应的源极管脚、栅极管脚和漏极管脚，栅极管脚和漏极管脚分别置于基岛的两侧，栅极管脚交替的设置在基岛连线的两侧；其中相邻的两个基岛相对应的源极管脚相互电连接；基岛上所固定的mosfet的焊窗与相对应的源极管脚、栅极管脚或漏极管脚电连接。本发明采用按照预定顺序排列的基岛以及基岛相对应的管脚种类，使得本封装器件在更小的面积内容纳更多的mosfet，保证各个栅极管脚之间的有效间距，从而避免当栅极出现电流快速变化的过程中，产生的磁感对相邻的mosfet工作造成影响，从而使得封装能应对更多的电路控制工况。
本发明授权一种多类型mosfet芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多类型mosfet芯片封装结构，其特征在于：包括多个一字排列的基岛，每个基岛连线的一侧分别设有与自身对应的源极管脚，另一侧设有与自身相对应的漏极管脚，每个基岛一侧还设有一个与自身相对应的栅极管脚，且多个栅极管脚交替的设置在基岛连线的两侧；其中相邻的两个基岛相对应的源极管脚相互电连接； 每个基岛上分别固设有一个mosfet，且每个mosfet的焊窗与相对应的源极管脚、栅极管脚或漏极管脚电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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