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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510928360.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由徐汉东;李晓杰;谢涛设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。用于解决如何降低位线制作难度的技术问题。该制作方法包括：提供基底，基底包括多个有源层以及分隔各个有源层的容置空间；有源层包括第一部分和第二部分；沿第一部分指向第二部分的方向，第二部分在第一方向上的尺寸逐渐减小；在容置空间内形成环绕第一部分的填充结构以及覆盖填充结构的第一牺牲层；第一牺牲层从填充结构的表面凸出；剩余的容置空间暴露沿第二方向排布的多个第二部分；在剩余的容置空间中形成位线结构。如此，可以形成自对准位线，规避高难度、高深宽比的位线刻蚀工艺，降低位线制作难度。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向和第二方向阵列排布的多个有源层以及分隔各个所述有源层的容置空间；其中，每个所述有源层均包括沿第三方向排布的第一部分和第二部分；沿所述第一部分指向所述第二部分的方向，所述第二部分在所述第一方向上的尺寸逐渐减小；所述第三方向和所述第一方向相交且均与所述第二方向垂直； 在所述容置空间内形成环绕所述第一部分的填充结构以及覆盖所述填充结构的外表面的第一牺牲层；其中，所述第一牺牲层位于沿所述第一方向相邻两个所述有源层之间且从所述填充结构朝向所述第二部分的表面凸出；相邻两个所述第一牺牲层之间剩余的所述容置空间暴露沿所述第二方向排布的多个所述第二部分； 在剩余的所述容置空间中形成位线结构；其中，所述位线结构包括沿所述第二方向交替排布的第一位线部分和第二位线部分，所述第一位线部分包覆所述第二部分，所述第二位线部分连接相邻两个所述第一位线部分；所述第一位线部分和所述第一位线部分包覆的所述第二部分在所述第一方向上的尺寸之和大于所述第二位线部分在所述第一方向上的尺寸。

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