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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919222.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法是由林朝晖设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法，制备方法包括：在硅片受光面及第二半导体开口区上形成绒面；之后在硅片受光面依次形成钝化层和减反层，钝化层包括依次形成的致密氧化层与掺磷掺氧非晶硅层；其中，致密氧化层的形成包括先经臭氧流量梯度递增氧化、后进行氢气等离子体处理的步骤；掺磷掺氧非晶硅层的形成包括在辉光等离子体持续存在下通入气体中的至少一种梯度变化进行连续镀膜的步骤，此处通入气体中的至少一种梯度变化使得掺磷掺氧非晶硅层中磷掺杂浓度由内向外逐渐增加。本发明能够提升电池的抗LID衰减性能，同时有效提高整体的钝化水平和电池效率。

本发明授权一种抗LID效应的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗LID效应的背接触电池的制备方法，包括：在硅片背光面形成第一半导体层，之后刻蚀第一半导体层形成间隔分布的第二半导体开口区；然后进行制绒清洗，在硅片受光面及第二半导体开口区上形成绒面；之后在硅片受光面依次形成钝化层和减反层，其特征在于，钝化层包括依次形成的致密氧化层与掺磷掺氧非晶硅层； 其中，致密氧化层的形成包括先经臭氧流量梯度递增氧化、后进行氢气等离子体处理的步骤；致密氧化层中，臭氧流量梯度递增氧化采用原子层沉积方式，且控制氧化温度为150-300℃；氢气等离子体处理采用管式PECVD方式，且控制氢气等离子体处理的处理温度为350-600℃；致密氧化层的形成中臭氧流量梯度递增至少包括三梯度递增：第一梯度的臭氧流量F1为1000sccm-3000sccm，第二梯度的臭氧流量F2为3000sccm-5000sccm，第三梯度的臭氧流量F3为4000sccm-6000sccm，且F1F2F3，第一梯度的臭氧通入时间为5-10s，第二梯度的臭氧通入时间为10-15s，第三梯度的臭氧通入时间为10-15s； 掺磷掺氧非晶硅层的形成包括在辉光等离子体持续存在下通入气体中的至少一种梯度变化进行连续镀膜的步骤，此处通入气体中的至少一种梯度变化使得掺磷掺氧非晶硅层中磷掺杂浓度由内向外逐渐增加。

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