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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919724.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池及其制备方法是由林朝晖;林楷睿设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池及其制备方法，包括：S103、对S102所得硅片背面进行抛光或制绒处理；S104、在硅片背面沉积本征晶硅层；S105、通过硬质掩膜板掩膜非目标沉积区域，在背面沉积交替排布的N型晶硅层；之后更换硬质掩膜板掩膜，形成P型晶硅层，且形成交叠区；S106、在硅片背面沉积导电膜层；S107、在导电膜层上开口形成隔离槽，控制隔离槽的宽度W4为0.03‑0.15mm；S108、在背面形成金属电极。本发明能够实现背面半导体无需刻蚀开口，大幅简化工艺流程，同时不会产生刻蚀损伤，进而提高电池转换效率和电池稳定性、生产良率。

本发明授权一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无需刻蚀开口半导体的背接触电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S101、提供双面制绒的硅片； S102、在硅片正面依次形成钝化层、减反层； S103、对S102所得硅片背面进行抛光或制绒处理，形成抛光面或制绒面，之后进行清洗； S104、在硅片背面沉积本征晶硅层； S105、通过硬质掩膜板掩膜非目标沉积区域，在背面本征晶硅层外沉积交替排布的N型晶硅层； 之后更换硬质掩膜板掩膜N型晶硅层的部分区域，形成与N型晶硅层交替排列的P型晶硅层，且使得P型晶硅层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的N型晶硅层的部分背面外且覆盖区域为交叠区，交叠区的宽度W2为0.05-0.30mm；本征晶硅层、N型晶硅层、P型晶硅层对应的晶硅层各自独立地包括非晶硅和或微晶硅； S106、在硅片背面沉积导电膜层； S107、在N型晶硅层的纵向边缘与P型晶硅层的交界区域外的导电膜层上开口形成隔离槽，控制隔离槽的宽度W4为0.03-0.15mm，且隔离槽的位于N型晶硅层上方的宽度W5为隔离槽的宽度W4的5%-95%，交叠区的宽度W2与隔离槽宽度W4的比例为1：（0.1-1）； S108、在背面形成金属电极。

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