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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种背接触电池及其制备方法和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919227.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种背接触电池及其制备方法和电池组件是由林朝晖;林楷睿设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池及其制备方法和电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件，第二半导体层包含本征硅层和第二掺杂硅层；所述第二掺杂硅层包括第二掺杂微晶硅和位于交叠区处的第二掺杂非晶硅，还包括非晶硅绝缘层，非晶硅绝缘层位于第二掺杂非晶硅外且不覆盖第二掺杂微晶硅；且并在所述导电膜层的位于交叠区内的部分上开设隔离槽，隔离槽与第一半导体层的侧面和第二半导体层的交界处留有距离。本发明能够显著降低第一半导体层的侧面和第二半导体层的交界处产生的漏电流，同时保证第二半导体层的钝化效果，且隔离槽无需横跨上述交界处，并不会损伤第二半导体层，提高了电池的并联电阻，提高电池的电流与电池效率。

本发明授权一种背接触电池及其制备方法和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外且覆盖区域形成交叠区，并在第一半导体层的背面开设不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，位于第二半导体开口区位置处的部分硅片为制绒面，与第一半导体层对应位置处的部分硅片为抛光面，以及位于第一半导体层和第二半导体层外表面的导电膜层和金属电极；其中，第二半导体层包含本征硅层和第二掺杂硅层；其特征在于，所述第二掺杂硅层包括位于第二半导体开口区位置处的第二掺杂微晶硅和位于交叠区处的第二掺杂非晶硅，且背接触电池还包括设置在第二半导体层外表面与导电膜层之间的非晶硅绝缘层，非晶硅绝缘层位于第二掺杂非晶硅外且不覆盖第二掺杂微晶硅；且并在所述导电膜层的位于交叠区内的部分上开设隔离槽，隔离槽与第一半导体层的侧面和第二半导体层的交界处之间在水平方向上留有距离，隔离槽与第一半导体层的端面和第二半导体层的交界处之间留有的距离在2-50µm。

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