中科宏芯(常州)传感科技有限公司董明辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中科宏芯(常州)传感科技有限公司申请的专利制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510913356.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法是由董明辉;孙士文设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法，属于电器元件生产技术领域，包括：S1.生长CZT晶体；S2.采用CZT晶体制备出所需的CZT片；S3.对CZT片注入一定剂量的氟离子；S4.对注入氟离子后的CZT片进行退火工艺，使氟离子在CZT片中均匀扩散，以改善CZT晶体生长时的晶格缺陷；S5.在CZT片的阴极表层注入铟离子，以提高CZT片的电阻率，以及改变CZT片的能带结构，产生更强的辐射信号；S6.再次进行退火工艺，以使铟离子在CZT片的表层分布的更加均匀；S7.在CZT片的阴极面镀铂，在CZT片的阳极面镀铟；S8.将CZT片与探测器的阴极和阳极分别进行连接，然后采用壳体进行封装。本发明具有改善晶格缺陷，提高载流子迁移寿命乘积的优点。
本发明授权制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备CZT高能量分辨率辐射芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.生长CZT晶体； S2.采用CZT晶体制备出所需的CZT片（5）； S3.对CZT片（5）注入一定剂量的氟离子； S4.对注入氟离子后的CZT片（5）进行退火工艺，使氟离子在CZT片（5）中均匀扩散，以改善CZT晶体生长时的晶格缺陷； S5.在CZT片（5）的阴极表层注入铟离子，以提高CZT片（5）的电阻率，以及改变CZT片（5）的能带结构； S6.再次进行退火工艺，以使铟离子在CZT片（5）的表层分布得更加均匀； S7.在CZT片（5）的阴极面镀铂，在CZT片（5）的阳极面镀铟； S8.将CZT片（5）与探测器的阴极和阳极分别进行连接，然后采用壳体进行封装。
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