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国仪量子技术(合肥)股份有限公司刘扬扬获国家专利权

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龙图腾网获悉国仪量子技术(合肥)股份有限公司申请的专利量子处理单元及其制造方法和量子计算机获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120409722B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510909999.X,技术领域涉及:G06N10/20;该发明授权量子处理单元及其制造方法和量子计算机是由刘扬扬;刘志超;夏明明;陈帆;陈多超;许克标;贺羽设计研发完成,并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

量子处理单元及其制造方法和量子计算机在说明书摘要公布了:本发明公开了一种量子处理单元及其制造方法和量子计算机,属于量子计算机技术领域,该量子处理单元包括:电路板和离子阱芯片,电路板开设有芯片安装通孔,电路板具有在其厚度方向相背的第一电路表面和第二电路表面,第一电路表面具有第一键合端子,第二电路表面具有第二键合端子,离子阱芯片具有在其厚度方向相背的第一芯片表面和第二芯片表面,第一芯片表面具有第一电极,第二芯片表面具有第二电极,离子阱芯片固设于电路板的芯片安装通孔,电路板和离子阱芯片可实现双面键合相连,从而有利于提升电路板和离子阱芯片建立电气连接的数量,并降低单面的键合密度,降低电路板和离子阱芯片的键合难度。

本发明授权量子处理单元及其制造方法和量子计算机在权利要求书中公布了:1.一种量子处理单元,其特征在于,包括: 电路板1,所述电路板1开设有芯片安装通孔13,所述电路板1具有在其厚度方向相背的第一电路表面11和第二电路表面12,所述第一电路表面11具有第一键合端子111,所述第二电路表面12具有第二键合端子121; 离子阱芯片2,所述离子阱芯片2固设于所述芯片安装通孔13,所述离子阱芯片2具有在其厚度方向相背的第一芯片表面21和第二芯片表面22,所述第一芯片表面21具有第一电极211,所述第二芯片表面22具有第二电极221; 其中,所述第一电路表面11和所述第一芯片表面21的朝向相同,且所述第一电极211与所述第一键合端子111键合相连,所述第二电路表面12和所述第二芯片表面22的朝向相同,所述第二电极221与所述第二键合端子121键合相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人国仪量子技术(合肥)股份有限公司,其通讯地址为:230088 安徽省合肥市高新区孔雀台路1969号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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