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龙图腾网获悉广东润宇传感器股份有限公司申请的专利应变式压阻效应敏感元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120403417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510903203.X，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权应变式压阻效应敏感元件及其制造方法是由李树成;方泽川;陈泽明设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本应变式压阻效应敏感元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种应变式压阻效应敏感元件及其制造方法，敏感元件包括SOI晶圆、电阻件、第二绝缘层和第二屏蔽层，SOI晶圆包括第一屏蔽层和第一绝缘层，电阻件设置在第一绝缘层背离第一屏蔽层的一侧，第二绝缘层设置于第一绝缘层背离第一屏蔽层的一侧，并覆盖电阻件，第二屏蔽层覆盖在第二绝缘层的外侧，且位于电阻件背离第一屏蔽层的一侧；其中，第一屏蔽层和第二屏蔽层中的至少一者还包围在电阻件的周向外侧，从而使得电阻件在上下两侧以及周向外侧被第一屏蔽层和第二屏蔽层包围，提高应变式压阻效应敏感元件对外部的电磁场屏蔽效果，避免外部电磁场影响，从而提高对检测的物体的应变准确性以及测量的稳定性。

本发明授权应变式压阻效应敏感元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种应变式压阻效应敏感元件的制造方法，其特征在于，所述应变式压阻效应敏感元件包括： SOI晶圆，包括基础材料层、第一屏蔽层和第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一屏蔽层的一侧，所述基础材料层设置于所述第一屏蔽层背离所述第一绝缘层的一侧，第一绝缘层为氧化硅层和氮化硅层中的一者或者两者组合； 电阻件，设置于所述第一绝缘层背离所述第一屏蔽层的一侧； 第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层背离所述第一屏蔽层的一侧，第二绝缘层覆盖所述电阻件，并且所述第二绝缘层和所述第一绝缘层将所述电阻件覆盖； 第二屏蔽层，覆盖在所述第二绝缘层背离所述第一屏蔽层的一侧；所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层中的至少一者还包围在所述电阻件的周向外侧； 所述制造方法包括： S100：取两晶圆，两晶圆中至少一者设有第一屏蔽层以及至少一者设有第一绝缘层，将两晶圆键合连接，形成内置有第一屏蔽层和第一绝缘层的SOI晶圆；而且SOI晶圆在厚度方向靠近第一屏蔽层的一侧设有基础材料层，以对第一屏蔽层起到保护作用；SOI晶圆在厚度方向靠近第一绝缘层的一侧设有硅材料层，方便在后续工艺中通过在硅材料层上开设凹槽并形成电阻件； S200：SOI晶圆上通过光刻、掺杂、退火扩散、刻蚀工艺形成电阻件；所述电阻件凸起于所述第一绝缘层背离所述第一屏蔽层一侧的表面； S300：通过氧化、沉积和光刻工艺在所述电阻件的周向外侧和背离所述第一绝缘层的一侧面形成第二绝缘层；所述第二绝缘层凸起于所述第一绝缘层的表面，且与所述第一绝缘层包围所述电阻件； S400：通过物理沉积或者蒸发工艺在所述第二绝缘层的表面形成低阻抗屏蔽层，并光刻刻蚀所述低阻抗屏蔽层以形成第二屏蔽层；所述第二屏蔽层凸起于所述第一绝缘层背离所述第一屏蔽层一侧的表面，并覆盖在所述第二绝缘层的外侧； S500：通过沉积工艺在所述第二屏蔽层的表面和侧面形成第三绝缘层； S600：通过光刻工艺刻蚀贯穿所述第二绝缘层、所述第二屏蔽层和所述第三绝缘层的引线孔，通过沉积和光刻工艺形成连接所述电阻件的连接引脚，所述连接引脚贯穿所述引线孔以用于与外部的电路连接。

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