深圳天狼芯半导体有限公司乔凯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510874233.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片，在主结末端设置包括多个场限环的场限环结构，通过在场限环结构与芯片边缘之间形成尾部沟槽，并且设置尾部沟槽的第一侧壁倾角小于16°，尾部沟槽的第二侧壁延伸至芯片边缘，由多个结终端扩展区覆盖场限环区域，并且延伸至尾部沟槽，从而结合场限环、结终端扩展区和沟槽结构，在保证器件耐压性能的情况下，有效缩小终端长度，减少芯片的面积占用。
本发明授权一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件终端结构，其特征在于，所述碳化硅器件终端结构包括： 形成于主结末端的场限环结构，所述场限环结构包括多个间隔的场限环； 形成于所述场限环结构与芯片边缘之间的尾部沟槽，所述尾部沟槽的第一侧壁倾角小于16°，所述尾部沟槽的第二侧壁延伸至芯片边缘； 设置在场限环区域的多个结终端扩展区；多个所述结终端扩展区覆盖所述场限环区域，并且延伸至所述尾部沟槽，所述结终端扩展区的深度小于所述场限环的深度； 绝缘介质材料层，设置于所述尾部沟槽内，并覆盖于所述主结末端与所述芯片边缘之间的区域； 其中，所述主结形成于N型漂移区上，所述尾部沟槽的第一侧壁靠近所述结终端扩展区，所述第一侧壁倾角为尾部沟槽的第一侧壁与所述N型漂移区的水平面之间的夹角，通过所述尾部沟槽截断所述结终端扩展区；所述结终端扩展区的掺杂浓度从所述主结向外逐渐降低。
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