浙江晶科储能有限公司董艳影获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科储能有限公司申请的专利二次电池及其制造方法以及用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510867007.1，技术领域涉及：H01M4/66；该发明授权二次电池及其制造方法以及用电设备是由董艳影;杨子祥;陈丽丽;张鲁华设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本二次电池及其制造方法以及用电设备在说明书摘要公布了：本申请涉及二次电池技术领域，提供一种二次电池及其制造方法以及用电设备，至少有利于提升二次电池的性能。二次电池包括：正极片、负极片和隔膜，隔膜位于正极片和负极片之间，正极片包括正极集流体以及在正极集流体表面依次层叠的第一导电层和第二导电层；其中，第一导电层的材料包括第一纳米金属线、第一石墨烯和第一碳包覆铜粉，第二导电层的材料包括第二纳米金属线、第二石墨烯和第二碳包覆铜粉；第一纳米金属线的直径小于第二纳米金属线的直径，和或，第一纳米金属线的长径比小于第二纳米金属线的长径比；以及，第一石墨烯的片层数量小于第二石墨烯的片层数量，和或，第一石墨烯的片层直径小于第二石墨烯的片层直径。
本发明授权二次电池及其制造方法以及用电设备在权利要求书中公布了：1.一种二次电池，其特征在于，包括：正极片、负极片和隔膜，所述隔膜位于所述正极片和所述负极片之间，所述正极片包括： 正极集流体； 第一导电层，所述第一导电层位于所述正极集流体表面； 第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述正极集流体的表面； 其中，所述第一导电层的材料包括第一纳米金属线、第一石墨烯和第一碳包覆铜粉，所述第二导电层的材料包括第二纳米金属线、第二石墨烯和第二碳包覆铜粉，所述第一碳包覆铜粉的平均粒径小于所述第二碳包覆铜粉的平均粒径； 所述第一纳米金属线的直径小于所述第二纳米金属线的直径，和或，所述第一纳米金属线的长径比小于所述第二纳米金属线的长径比；以及， 所述第一石墨烯的片层数量小于所述第二石墨烯的片层数量，和或，所述第一石墨烯的片层直径小于所述第二石墨烯的片层直径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶科储能有限公司，其通讯地址为：314415 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇向心路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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