深圳平湖实验室房育涛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510856108.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法是由房育涛;胡浩林;蔡子东;高园设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域，能够提高氮化镓器件的缓冲层的耐压水平，提升氮化镓器件动态电性。氮化镓器件包括：沿第一方向层叠设置的硅衬底、绝缘层和缓冲层，绝缘层位于硅衬底和缓冲层之间，绝缘层分隔硅衬底和缓冲层，绝缘层和缓冲层接触连接，绝缘层包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分在第二方向上相邻排布，沿第一方向，第一部分的厚度小于第二部分的厚度，第二方向垂直于第一方向，上述氮化镓器件在硅衬底和缓冲层之间引入了绝缘层，用于分隔硅衬底和缓冲层，避免背景电子被缓冲层缺陷俘获，从而提升缓冲层的导通电阻，提升缓冲层的耐压水平，提升氮化镓器件动态电性。
本发明授权氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括： 沿第一方向层叠设置的硅衬底、绝缘层和缓冲层，所述绝缘层位于所述硅衬底和所述缓冲层之间，所述绝缘层为连贯结构，所述绝缘层分隔所述硅衬底和所述缓冲层，所述绝缘层和所述缓冲层接触连接； 所述绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分在第二方向上相邻排布；沿所述第一方向，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，所述第二方向垂直于所述第一方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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