浙江大学徐明生获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种PbS量子点薄膜的干法制备方法及其与硅形成异质结的光电晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120364745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510859102.7，技术领域涉及：C01G21/21；该发明授权一种PbS量子点薄膜的干法制备方法及其与硅形成异质结的光电晶体管是由徐明生;姜凯设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PbS量子点薄膜的干法制备方法及其与硅形成异质结的光电晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PbS量子点薄膜的制备方法，PbS量子点薄膜在氢气与惰性气体的混合气氛中以PbI2均匀连续薄膜作为Pb源与S源在220‑300ºC温度下反应形成，实现了无有机配体PbS量子点薄膜的可控制备，制备方法简单、可靠性高，制备效果好，其中制备得到的PbS量子点薄膜在基底表面的覆盖率不低于50%。本发明还公开了一种由本发明制备方法制备得到的PbS量子点薄膜与硅构建的异质结光电晶体管，随着PbS量子点薄膜在基底表面的覆盖率的提高，所构建的异质结光电晶体管的响应度、比探测率等光电特性性能得到显著提升。
本发明授权一种PbS量子点薄膜的干法制备方法及其与硅形成异质结的光电晶体管在权利要求书中公布了：1.一种PbS量子点薄膜的干法制备方法，其特征在于，所述制备方法为在氢气与惰性气体的混合气氛中，以PbI2均匀连续薄膜作为Pb源与S源反应形成PbS量子点薄膜；所述的PbI2均匀连续薄膜是通过物理气相沉积方法制备在基底上，且在基底上的PbI2薄膜厚度不超过5nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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