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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种刻蚀组件及刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510828019.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种刻蚀组件及刻蚀方法是由桂智谦;王兆祥;梁洁;涂乐义;曹天俊;谭小龙设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刻蚀组件及刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工相关的技术领域，特别是涉及一种刻蚀组件及刻蚀方法。本发明的刻蚀组件，包括静电吸盘，具有放置台，放置台具有用于放置晶圆的晶圆放置位；聚焦环，设置在所述静电吸盘上，且环绕所述放置台布置，所述聚焦环中设置有气体通道，所述气体通道具有进气口和出气口，所述进气口用于通入气体，所述出气口朝向所述晶圆放置位；气体供应组件，与所述进气口相连，用于向所述进气口供应惰性气体和或反应气体来调控晶圆边缘的刻蚀速率。本申请通过在聚焦环中设置气体通道，并利用气体供应组件向晶圆边缘区域精确供应惰性气体和或反应气体，能够直接影响边缘区域的刻蚀环境，从而实现对晶圆边缘刻蚀速率的动态调控。

本发明授权一种刻蚀组件及刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀组件，其特征在于，包括： 静电吸盘，具有放置台，所述放置台具有用于放置晶圆的晶圆放置位； 聚焦环，设置在所述静电吸盘上，且环绕所述放置台布置，所述聚焦环中设置有气体通道，所述气体通道具有进气口和出气口，所述进气口用于通入气体，所述出气口朝向所述晶圆放置位； 气体供应组件，与所述进气口相连，用于向所述进气口供应惰性气体和或反应气体来调控晶圆边缘的刻蚀速率，其中在晶圆边缘刻蚀速率高于标准刻蚀速率时，采用增加惰性气体的流量、降低反应气体的流量、降低惰性气体和反应气体的温度中三种措施中的至少一种措施；在晶圆边缘的刻蚀速率低于标准刻蚀速率时，采用降低惰性气体的流量、增加反应气体的流量、增加惰性气体和反应气体的温度中三种措施中的至少一种措施； 所述气体通道包括多个分支通道，所述出气口有多个，且沿所述晶圆放置位周向均匀间隔布置，所述分支通道与所述出气口一一对应； 所述聚焦环上还设置有环绕所述晶圆放置位布置的溢流环槽，所述溢流环槽的开口朝向所述晶圆放置位，多个所述出气口沿周向均匀间隔布置在所述溢流环槽的槽底，所述溢流环槽的槽底的出气口处设置有扩口结构，多个所述出气口与所述进气口之间的行程均相等，使得气体在流动过程中受到的阻力相同而均匀地分配到每个所述出气口，以及所述扩口结构使气体从集中喷射变为扩散流动充满在所述溢流环槽后沿周向均匀溢出而覆盖晶圆的边缘区域。

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