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龙图腾网获悉南京大学;合肥国家实验室申请的专利一种集成测温模块及HEMT的半导体器件和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510833423.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种集成测温模块及HEMT的半导体器件和制备方法是由周玉刚;唐发权;王鹏霖;陈敦军;张荣设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成测温模块及HEMT的半导体器件和制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种集成测温模块及HEMT的半导体器件和制备方法，涉及半导体技术领域。测温模块中源极焊盘与HEMT器件的源极电连接，栅极焊盘与栅极电连接，漏极焊盘与漏极电连接，以此将源极布线、栅极布线和漏极布线设置为HEMT器件的外接引脚，而与外接线路电连接来实现HEMT器件正常工作。将测温模块的肖特基二极管与HEMT的发热区相对应设置，并根据肖特基二极管的正向电压随温度变化特征，能够测量HEMT器件的结温。通过HEMT器件中第一钝化层，实现肖特基二极管与HEMT器件之间电学隔离，无需在半导体器件工作状态和测试状态之间进行切换，实现了实时的、准确的对HEMT器件的结温进行监测的目的。

本发明授权一种集成测温模块及HEMT的半导体器件和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成测温模块及HEMT的半导体器件，其特征在于，包括： 相对键合的测温模块及HEMT器件； 所述HEMT器件包括：第一外延结构层，及位于所述第一外延结构层朝向所述测温模块一侧表面上的源极、栅极、漏极和第一钝化层；所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述HEMT器件的发热区位于所述栅极和所述漏极之间，且所述发热区靠近所述栅极一侧，其中，所述第一钝化层至少对应设置于所述发热区； 所述测温模块包括：衬底层，位于所述衬底层朝向所述HEMT器件一侧表面上的第二外延结构层，位于所述第二外延结构层朝向所述HEMT器件一侧表面上的阳极和阴极，覆盖所述衬底层朝向所述HEMT器件一侧裸露表面及覆盖所述第二外延结构层裸露表面的第二钝化层，位于所述第二钝化层朝向所述HEMT器件一侧的源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、源极布线、栅极布线、漏极布线、阴极布线和阳极布线；所述第二外延结构层、所述阳极和所述阴极组成肖特基二极管，所述源极焊盘与所述源极布线电连接，所述栅极焊盘与所述栅极布线电连接，所述漏极焊盘与所述漏极布线电连接，所述阳极与所述阳极布线电连接，所述阴极与所述阴极布线电连接； 所述肖特基二极管在所述第一钝化层上的正投影与所述发热区至少部分交叠，所述源极焊盘与所述源极电连接，所述栅极焊盘与所述栅极电连接，所述漏极焊盘与所述漏极电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学;合肥国家实验室，其通讯地址为：210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。