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浙江晶科储能有限公司师渝滔获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江晶科储能有限公司申请的专利二次电池的制备方法、二次电池、储能系统及用电设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120356904B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510839568.0,技术领域涉及:H01M4/139;该发明授权二次电池的制备方法、二次电池、储能系统及用电设备是由师渝滔;马玉俊;刘杨设计研发完成,并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

二次电池的制备方法、二次电池、储能系统及用电设备在说明书摘要公布了:本申请涉及电池技术领域,公开了一种二次电池的制备方法、二次电池、储能系统及用电设备,本申请的二次电池的制备方法包括:提供极片,极片为正极片或负极片,极片为进行辊压操作之后的极片;获取极片实际孔隙率;根据实际孔隙率判断极片是否合格;在极片合格的情况下,对极片依次进行收卷、下料、电芯组装、注液、封装以形成二次电池;在极片不合格的情况下,对极片进行激光处理形成激光孔隙;重复进行获取极片的实际孔隙率的步骤、以及根据实际孔隙率判断极片是否合格的步骤,直至极片合格为止,从而提高极片孔隙率的均匀性,增强极片的浸润性,提高二次电池的电学性能。

本发明授权二次电池的制备方法、二次电池、储能系统及用电设备在权利要求书中公布了:1.一种二次电池的制备方法,其特征在于,包括: 提供极片,所述极片为正极片或负极片,所述极片为进行辊压操作之后的极片; 获取所述极片的每个局部区域的实际孔隙率; 根据每个所述局部区域的实际孔隙率判断所述极片的每个所述局部区域是否合格; 在所述极片的每个所述局部区域合格的情况下,对所述极片依次进行收卷、下料、电芯组装、注液、封装以形成二次电池; 在所述极片的所述局部区域不合格的情况下,对所述极片的所述局部区域进行激光处理形成激光孔隙;重复进行所述获取所述极片的每个局部区域的实际孔隙率的步骤、以及所述根据每个所述局部区域的实际孔隙率判断所述极片的每个所述局部区域是否合格的步骤,直至所述极片的每个所述局部区域合格为止; 所述根据每个所述局部区域的所述实际孔隙率判断所述极片的所述局部区域是否合格,包括: 计算所述局部区域的所述实际孔隙率与目标孔隙率之间的偏差,所述偏差δ1的计算公式为:δ1=|δ-δ0|,其中,δ为所述实际孔隙率,δ0为所述目标孔隙率; 在所述局部区域的所述实际孔隙率与所述目标孔隙率之间的所述偏差小于或者等于预设阈值的情况下,判定所述极片的所述局部区域合格; 所述局部区域的所述实际孔隙率与所述目标孔隙率之间的所述偏差大于所述预设阈值的情况下,判定所述极片的所述局部区域不合格;所述预设阈值大于0且小于或等于10%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶科储能有限公司,其通讯地址为:314415 浙江省嘉兴市海宁市黄湾镇向心路8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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