合肥沛顿存储科技有限公司耿宝成获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510779169.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构是由耿宝成;刘月;郑书豪;王林;魏小波;姚维勇设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构在说明书摘要公布了：本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构。方法：在晶圆的基底上沉积种子层，在种子层上涂覆光刻胶膜，去除多余光刻胶膜，将目的图形投影到光刻胶膜上，显影，去除多余光刻胶膜，在剩余光刻胶膜上形成RDL布线图形层，沉积金属层，去除RDL布线图形层中的光刻胶膜，覆盖绝缘层，制作出布线开口，在布线开口中制作凸块，去除多余绝缘层和种子层；种子层的材质包括Ti、Cu、薄膜，薄膜由纳米复合液固化得到，纳米复合液的原料包括二氧化硅、多巴胺、3‑巯基丙基三乙氧基硅烷、硫酸铜、PVP。芯片结构由方法制备得到。本发明能够提高芯片结构之间的结构结合力，改善凸点不良问题。
本发明授权一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种改善凸块与底部结合力的方法，其特征在于，包括如下步骤： 在晶圆的基底上沉积种子层，在种子层上涂覆光刻胶膜，去除多余光刻胶膜，将目的图形投影到光刻胶膜上，显影，去除多余光刻胶膜，通过RDL法在剩余光刻胶膜上形成RDL布线图形层，在RDL布线图形上沉积金属层，去除RDL布线图形层中的光刻胶膜，覆盖绝缘层，在绝缘层上制作出布线开口，在布线开口中制作凸块，去除多余绝缘层和种子层； 其中，种子层的材质包括Ti和或Cu和薄膜，薄膜由纳米复合液固化得到，纳米复合液的原料包括二氧化硅、多巴胺、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、硫酸铜、PVP。
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