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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利多芯片连接结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510779783.6，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权多芯片连接结构的制备方法是由高漩;吴政达;廖玠诚设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本多芯片连接结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于芯片技术领域，具体涉及多芯片连接结构的制备方法。步骤：在基材上涂覆释放层和粘合层；芯片上有铜柱凸点，芯片临时键合在粘合层上，控制部分的铜柱凸点嵌入粘合层；在粘合层上形成塑封层，塑封层包裹芯片和剩余部分的铜柱凸点，芯片和塑封层共同构成模块一；剥离粘合层，嵌入粘合层的铜柱凸点暴露在外，在模块一有铜柱凸点的那一面沉积非金属介质材料修饰铜柱凸点，铜柱凸点两侧不再暴露，将铜柱凸点剩余的暴露面与TSV中介层进行铜‑铜键合；去除TSV中介层多余的硅衬底，得到模块二，在模块二底部构建完整的RDL层，在完整的RDL层表面制作凸块。本发明提高了制备多芯片连接结构的焊接可靠性、信号完整性、散热性能。

本发明授权多芯片连接结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.多芯片连接结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在基材上涂覆释放层，在释放层上涂覆粘合层； 芯片包括SOCDie和HBMDie，芯片上有铜柱凸点，将芯片临时键合在粘合层上，控制部分的铜柱凸点嵌入粘合层； 在粘合层上形成塑封层，塑封层包裹芯片和剩余部分的铜柱凸点，芯片和塑封层共同构成模块一； 剥离粘合层，嵌入粘合层的铜柱凸点暴露在外，在模块一有铜柱凸点的那一面沉积非金属介质材料修饰铜柱凸点，使得铜柱凸点两侧不再暴露，将铜柱凸点剩余的暴露面与TSV中介层进行铜-铜键合； 去除TSV中介层多余的硅衬底，得到模块二，在模块二底部构建完整的RDL层，在完整的RDL层表面制作凸块； 其中，TSV中介层的制备方法包括如下步骤： 使用各向异性刻蚀工艺在硅衬底上制作横向和纵向的深孔，纵向的深孔之间通过横向的深孔实现连接； 在硅衬底的深孔内沉积绝缘层，在绝缘层上沉积阻挡层，再沉积或不沉积种子层，在深孔内电镀填充金属材料，去除硅衬底表面多余的金属材料；接着在硅衬底表面使用RDL工艺，具体为，在硅衬底表面沉积绝缘材料，然后在绝缘材料上涂覆光刻胶，曝光，显影形成RDL线路图形，在RDL线路图形中溅射沉积和或电镀金属铜构成互连线，形成中间连接层，剥离光刻胶，得到TSV中介层。

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