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龙图腾网获悉杭州海康威视数字技术股份有限公司申请的专利雪崩二极管、像素晶圆、光探测器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510758449.2，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩二极管、像素晶圆、光探测器及其控制方法是由徐凯敏设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本雪崩二极管、像素晶圆、光探测器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种雪崩二极管、像素晶圆、光探测器及其控制方法，涉及集成电路领域，旨在提高单光子雪崩二极管在强光情景下的检测效果。雪崩二极管，包括衬底、第一电极、第二电极以及隔离部；衬底具有第一掺杂类型，衬底包括在第一方向上相背的第一表面和第二表面；第一方向为衬底的厚度方向；第一电极具有第一掺杂类型，第一电极由第一表面延伸至衬底中；第二电极具有第二掺杂类型，第二电极由第一表面延伸至衬底中，且与第一电极间隔设置；隔离部由第一表面延伸至第二表面；隔离部被配置为接收第一电压信号，第一电压信号的电压可调。

本发明授权雪崩二极管、像素晶圆、光探测器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩二极管，其特征在于，包括： 衬底，具有第一掺杂类型，所述衬底包括在第一方向上相背的第一表面和第二表面；所述第一方向为所述衬底的厚度方向；所述衬底包括外延层； 第一电极，具有第一掺杂类型，所述第一电极由所述第一表面延伸至所述衬底中； 第二电极，具有第二掺杂类型，所述第二电极由所述第一表面延伸至所述衬底中，且与所述第一电极间隔设置； 隔离部，所述隔离部由所述第一表面延伸至所述第二表面，所述隔离部环绕所述第一电极和所述第二电极；所述隔离部被配置为接收第一电压信号，所述第一电压信号的电压可调；所述隔离部包括隔离部主体，以及覆盖所述隔离部主体的绝缘层；所述绝缘层位于所述隔离部主体的侧面和所述外延层的侧面之间，以及所述隔离部主体的侧面与所述第一电极之间；所述隔离部主体、所述绝缘层和所述外延层形成MOS电容； 其中，在所述雪崩二极管设定周期内探测到的光子数量小于或等于第一设定阈值的情况下，所述隔离部接收具有第一电压值的第一电压信号；在所述光子数量大于所述第一设定阈值的情况下，所述隔离部接收具有第二电压值的第一电压信号；所述第一电压信号的电压值为第一电压值或第二电压值，所述第一电压值和所述第二电压值均为负值，且所述第一电压值的绝对值大于所述第二电压值的绝对值。

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