武汉工程大学赵洪阳获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120191958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510690655.4，技术领域涉及：C01G13/00；该发明授权一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法是由赵洪阳;於超;杨思捷;刘词;付秋明;陶洪;马志斌;吴轶凡;徐溪晨;任阳设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法，属于汞的化合物的制备技术领域。本发明中将硫化汞粉末溶解在碱金属硫化物的溶液中，然后进行水热反应，反应结束后冷却至室温，通过控制向反应液中加入去离子水的速度和用量制备得到了不同晶型的HgS晶体。本发明中制备HgS晶体的反应条件温和、成本低，得到的晶体尺寸达到毫米级，晶体尺寸易于控制，晶体生长周期短。
本发明授权一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、配制碱金属硫化物溶液，向所述碱金属硫化物溶液中加入HgS粉末，搅拌加热至HgS完全溶解，得到HgS饱和溶液；所述碱金属硫化物与所述HgS粉末的摩尔比为10:3； S2、将所述HgS饱和溶液置于密封容器中，加热，进行水热反应；反应结束后冷却至室温，向反应液中分批次滴加去离子水或一次性加入去离子水，避光，静置析晶；离心，洗涤晶体，干燥；分批次滴加去离子水得到的是α-HgS晶体，一次性加入去离子水得到的是β-HgS晶体；水热反应的条件为：以5.5~6.5℃min的速率从室温升温至200~225℃，保温1200~1440min；然后降温至120~180℃，保温2000~2580min；分批次滴加去离子水时，最终滴加的去离子水的总体积与所述反应液的体积之比为1:12~1:2；一次性加入去离子水时，所加入的去离子水的体积与所述反应液的体积之比＞1:1。
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