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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120026298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510512142.4，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法是由唐明强;侯文康;景玮晨;崔新宇;熊天英设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法在说明书摘要公布了：本发明属于防护涂层制备技术领域，具体涉及一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法。采用热激发式的化学气相沉积系统，选择HMDSOn‑Hexane体系作为原料并控制其比例，反应腔体内放置石墨棒为辅助碳源，当工作压强为100Pa~1000Pa和工作温度为1000℃~1250℃时，在单晶Si基体表面上沉积出结构致密的C缓冲层和SiC防护涂层。本发明采用的原料价格低廉且无毒无害，反应副产物无毒无害，采用此法可一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层，所制备涂层结构致密且与单晶Si基体结合良好，并可以对单晶Si基体起到优异的耐蚀防护作用。

本发明授权一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种在单晶Si基体上一体化制备C缓冲层和SiC防护涂层的化学气相沉积方法，其特征在于，采用化学气相沉积技术，以六甲基二硅氧烷HMDSO正己烷n-Hexane作为原料，石墨棒为辅助碳源，通入反应腔体的气体体系选用HMDSO-Hexane-H2-Ar体系，包括以下步骤： （1）将HMDSO、n-Hexane按体积比例1~5:1~5混合，搅拌均匀后作为制备C缓冲层和SiC防护涂层的液体原料待用； （2）在单晶Si基体上沉积C缓冲层和SiC防护涂层开始之前，向反应腔体通入氢气刻蚀单晶Si，氢气流量为10~1000sccm，刻蚀时间为1~10min，去除单晶Si基体表面的氧化层和污染物，清洁基体表面，同时增加表面活性位点促进前驱体的吸附与表面反应； （3）在单晶Si基体上沉积C缓冲层和SiC防护涂层时，石墨棒置于单晶Si基体周围，HMDSO与n-Hexane混合的液体原料流量为0.1~10gmin，氩气流量为50~10000sccm，氢气流量为10~1000sccm，沉积温度为1000℃~1150℃，工作压强为500Pa~1000Pa，沉积时间1~5h，沉积结束随炉冷却，在单晶Si基体表面上一体化沉积出结构致密的C缓冲层和SiC防护涂层。

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