买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510377902.5，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由夏军;赖国文;王義传设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体结构及其形成方法，结构包括：基底结构，基底结构具有电容区以及与其相邻的逻辑区，基底结构包括第一绝缘层以及多个间隔镶嵌于第一绝缘层中的导电部；第一刻蚀停止层，位于电容区且至少覆盖导电部的顶部；第二刻蚀停止层，位于逻辑区且覆盖第一绝缘层的顶部；其中，第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层的材料相同，第一刻蚀停止层与第二刻蚀停止层之间通过保护层隔离；或者，第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层的材料不同，第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层之间形成接触界面；第一堆叠结构，覆盖于第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层的所在层上；狭缝开口，贯穿第一堆叠结构且暴露出第二刻蚀停止层。本发明的半导体结构提高了结构可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底结构，所述基底结构具有电容区以及与其相邻的逻辑区，所述电容区和逻辑区用于作为电容单元阵列区，所述基底结构包括第一绝缘层以及多个间隔镶嵌于所述第一绝缘层中的导电部，所述导电部位于所述电容区，且所述第一绝缘层露出所述导电部的顶面； 第一刻蚀停止层，位于所述电容区且至少覆盖所述导电部的顶部； 第二刻蚀停止层，位于所述逻辑区且覆盖所述第一绝缘层的顶部，且所述第二刻蚀停止层与所述第一刻蚀停止层位于同一层且两者的顶面相齐平； 第一堆叠结构，覆盖于所述第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层的所在层上； 多个第一电极柱，每个所述第一电极柱贯穿设置于所述第一堆叠结构和第一刻蚀停止层中且与对应的所述导电部接触连接； 狭缝开口，贯穿所述第一堆叠结构且暴露出所述第二刻蚀停止层； 其中，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层的材料相同，所述第一刻蚀停止层与所述第二刻蚀停止层之间通过保护层隔离，使所述保护层在通过所述狭缝开口酸洗所述第一堆叠结构工艺中保护所述第一刻蚀停止层的侧壁；或者，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层的材料不同，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层之间形成接触界面，使所述第二刻蚀停止层在通过所述狭缝开口酸洗所述第一堆叠结构工艺中保护所述第一刻蚀停止层的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518111 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。