青岛海存微电子有限公司任冠青获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛海存微电子有限公司申请的专利一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510237494.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法是由任冠青;袁东林;李南军;王林霞;张超;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法。半导体量测结构设置在晶圆上，半导体量测结构至少包括沟槽区域及研磨区域；其中，研磨区域的顶表面高于沟槽区域的顶表面，且研磨区域的侧壁与沟槽区域的顶表面合围形成量测沟槽；通过量测化学机械抛光工艺处理前后研磨区域与沟槽区域顶表面之间的台阶差，确定研磨区域的研磨量。本申请能够避免产生光学干扰，从而避免影响化学机械抛光工艺研磨量的量测值，减小实际值与量测值的量测偏差，从而提高量测精度。
本发明授权一种半导体量测结构及半导体研磨量的量测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体量测结构，其特征在于，所述半导体量测结构设置在晶圆上，所述半导体量测结构至少包括沟槽区域及研磨区域； 其中，所述研磨区域的顶表面高于所述沟槽区域的顶表面，且所述研磨区域的侧壁与所述沟槽区域的顶表面合围形成量测沟槽； 通过量测化学机械抛光工艺处理前后所述研磨区域与所述沟槽区域顶表面之间的台阶差，确定所述研磨区域的研磨量； 其中，通过所述化学机械抛光工艺中研磨液中的磨粒尺寸确定所述量测沟槽的尺寸；化学机械抛光工艺处理前后，量测沟槽的深度始终大于 r为研磨液中磨粒的半径，CD为量测沟槽的线宽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266404 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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