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龙图腾网获悉无锡芯朋微电子股份有限公司申请的专利同步整流控制装置及方法、反激式开关电源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206765.9，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权同步整流控制装置及方法、反激式开关电源是由罗阳;莫俞聪;杨俊;王旷;李海松;易扬波设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本同步整流控制装置及方法、反激式开关电源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同步整流控制装置及方法、反激式开关电源，该同步整流控制装置包括：原边MOS管、变压器、副边MOS管、原边控制芯片、以及副边控制电路；原边控制芯片用于控制原边MOS管在谷底位置导通，对变压器的原边电感励磁，使原边电流上升，然后控制原边MOS管关断，使原边电感励磁结束；副边控制电路用于在原边电感励磁结束后，在变压器的副边退磁过程中，控制副边MOS管进行第一次开通，在退磁结束后的谐振阶段控制副边MOS管进行第二次开通，以降低原边MOS管再次导通前的漏端电压。利用本发明方案，可以降低原边MOS管在开通时刻的源漏电压，减少开通损耗，并降低原边MOS管温升。

本发明授权同步整流控制装置及方法、反激式开关电源在权利要求书中公布了：1.一种同步整流控制装置，其特征在于，所述装置包括：原边MOS管、变压器、副边MOS管、原边控制芯片、以及副边控制电路； 所述原边控制芯片，用于控制所述原边MOS管在谷底位置导通，对所述变压器的原边电感励磁，使原边电流上升，然后控制所述原边MOS管关断，使原边电感励磁结束； 所述副边控制电路，用于在所述原边电感励磁结束后，在所述变压器的副边退磁过程中，控制所述副边MOS管进行第一次开通，并在副边退磁结束前关断所述副边MOS管；在副边退磁结束后的谐振阶段通过对所述副边MOS管漏端电压的检测，控制所述副边MOS管进行第二次开通，以降低所述原边MOS管再次导通前的漏端电压； 所述副边控制电路包括： 开关控制模块，用于在所述变压器的副边退磁过程中，输出第一控制信号，以控制所述副边MOS管在第一时刻开通第一时长； 二次开通使能模块，用于在所述变压器的副边退磁结束后的谐振阶段，输出第二控制信号，以控制所述副边MOS管在第二时刻开通第二时长；所述第二时刻延后所述第一时刻； 防误开模块，用于检测所述副边MOS管漏源压差波形是否存在畸变，向所述二次开通使能模块输出畸变检测结果信号；结合本周期所述二次开通使能模块输出的第二控制信号以及本周期所述防误开模块输出的畸变检测结果信号进行逻辑判断，以控制下周期所述二次开通使能模块输出所述第二控制信号的时机； 驱动模块，用于根据所述第一控制信号和所述第二控制信号驱动所述副边MOS管开通或关断。

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