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龙图腾网获悉燕山大学申请的专利一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119820471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510155872.3，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法是由黄水泉;钟国涛;黄传真;黄含;王真;徐龙华;曲美娜;许征凯;张迪嘉;郭保苏;靳田野设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法，所述化学机械磨削方法：采用有机热分解型氧化剂和有机光分解氧化剂及聚乙二醇、丙三醇和植物油，配置油基热活性‑光活性复合磨削液；搭建具有紫外光辐照功能且辐照强度和紫外光波长可调可控的紫外光‑金刚石磨料砂轮化学机械磨削平台；启动化学机械磨削平台及微量润滑供液装置，控制待加工晶圆与金刚石磨料砂轮相互旋转对磨；开启紫外光发生器对晶圆表面热活性‑光活性复合磨削液滴进行精准辐照，利用磨削热能和紫外光辐照能诱导热分解型和光分解型氧化剂产生活性自由基，引发晶圆表层材料发生自由基氧化反应，形成低界面结合力的氧化层；金刚石磨料小载荷微切削去除晶圆表面氧化层，高效率获得亚表面近无机械损伤的半导体晶圆。

本发明授权一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种硬脆半导体晶圆的化学机械磨削系统对硬脆半导体晶圆进行化学机械磨削的方法，其特征在于， 所述化学机械磨削系统包括：机床本体，在机床本体上设置有第一直线驱动装置和第二直线驱动装置，所述的第一直线驱动装置实现第一高速气浮主轴在X方向移动，第二直线驱动装置实现第二高速气浮主轴在Z方向移动；在半导体晶圆的外侧设置紫外光发生器和微量润滑装置；所述的紫外光发生器发射紫外光； 所述化学机械磨削的方法如下： S1、第二高速气浮主轴带动金刚石磨料砂轮旋转，第一高速气浮主轴带动晶圆旋转，微量润滑装置将油基热活性-光活性复合磨削液按一定量雾化成小液滴后喷淋到半导体晶圆上，同时第一直线驱动装置和第二直线驱动装置施加X方向的进给量和Z方向的磨削深度，最终控制金刚石砂轮与晶圆相互旋转进行对磨； S2、调整紫外光发生器，利用磨削热能和紫外光辐照能诱导油基热活性-光活性复合磨削液中有机热分解型氧化剂和有机光分解型氧化剂分解产生活性自由基对机械应力作用下的晶圆表层材料进行自由基氧化反应，形成一层低界面结合强度的晶圆表面氧化层；在步骤S1的基础上对磨去除晶圆表面氧化层； 所述有机热分解型氧化剂和有机光分解型氧化剂的质量百分比介于10:1~1:10； 所述的紫外光发生器的功率是50~200W； 砂轮转速500~3000rpm，磨削液流量10~100mLh。

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