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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510126254.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种基准源电路是由余璐洋;刘大伟;范建林;庄巍;田仁宽;庞凯悦;王玺设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基准源电路在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种基准源电路，涉及基准源电路技术领域。基准源电路包括偏置电路、正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路：偏置电路用于为正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路提供偏置电流；正温度系数电压产生电路的输出端和负温度系数电压产生电路的输出端连接，作为所述基准源电路的基准电压输出端。正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路的温度特性相反，有相互补偿的效果，从而使最终输出的电压没有明显的温度特性。

本发明授权一种基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种基准源电路，其特征在于，包括偏置电路、正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路： 所述偏置电路用于为所述正温度系数电压产生电路和所述负温度系数电压产生电路提供偏置电流； 所述正温度系数电压产生电路在单独工作时输出电压与温度正相关； 所述负温度系数电压产生电路在单独工作时输出电压与温度负相关； 所述正温度系数电压产生电路的输出端和所述负温度系数电压产生电路的输出端连接，作为所述基准源电路的基准电压输出端； 所述偏置电路为nA级偏置电路； 所述偏置电路包括M7管、M8管、M9管、M10管、M11管、M12管、M13管、M14管、M15管、M16管、M17管、M18管、M19管、M20管、M21管、M22管、M23管、M24管和M25管； 所述M7管、所述M10管、所述M13管、所述M14管、所述M17管、所述M19管、所述M22管和所述M23管为PMOS管； 所述M8管、所述M9管、所述M11管、所述M12管、所述M15管、所述M16管、所述M20管、所述M21管、所述M24管和所述M25管为NMOS管； 所述M17管源端接电压源，栅端与所述M14管栅端和漏端相连，并与启动电路的电压节点VM相连，漏端与所述M18管漏端相连； 所述M18管栅端与所述M22管栅端相连，漏端与所述M19管源端相连； 所述M22管源端连所述电压源，栅端与漏端相连并连接到所述M23管源端； 所述M19管栅端与所述M23管栅端相连，漏端连接到所述M20管漏端和栅端并作为VBIAS1节点； 所述M23管栅端与漏端相连并连接到所述M24管漏端； 所述M20管漏端与栅端相连并连接到所述M24管栅端，源端与所述M21管栅端相连并作为VBIAS2节点； 所述M24管源端连接到所述M25管漏端； 所述M21管栅端与漏端相连，源端接地； 所述M25管栅端与所述M21管栅端和漏端相连，源端接地； 所述M7管源端接电压源，栅端与漏端相连并与所述M8管漏端和所述M10管栅端相连； 所述M8管栅端接所述VBIAS1节点，源端与所述M9管漏端相连； 所述M9管栅端接所述VBIAS2节点，源端接地； 所述M13管源端接所述电压源，漏端与所述M10管源端、所述M14管源端相连，栅端与所述M22管漏端、所述M22管栅端、所述M23管源端相连； 所述M14管栅端与漏端相连且连接所述M15漏端； 所述M11管栅端与漏端相连并连接到所述M10管漏端，源端与所述M12管漏端相连； 所述M12管栅端与漏端相连并连接到所述M11管源端，源端接地； 所述M15管栅端与所述M11管栅端和漏端相连，源端与所述M16管漏端相连； 所述M16管栅端连接到所述M12管栅端和漏端，漏端与所述M15管源端相连，源端接地。

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