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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利功率半导体器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510032960.4，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权功率半导体器件结构及其制造方法是由曹功勋;刘峰松设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体器件结构及其制造方法，通过在多晶硅层的顶部侧壁形成侧墙结构，通过侧墙结构限定出自对准窗口，针对小元胞功率半导体器件，通过控制侧墙结构的横向宽度限定源极接触孔与沟槽之间的横向间距，尤其是源极接触孔与沟槽栅多晶硅的距离小于0.2微米的IGBT，可以大大提高源极接触孔到多晶层之间距离的精度，降低后续源极接触孔掩膜版与沟槽栅掩膜版对准精度要求，进而大大提高IGBT晶圆片内和片间饱和压降一致性。

本发明授权功率半导体器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供一半导体衬底，于所述半导体衬底正面上形成硬掩模层，所述硬掩模层具有刻蚀窗口，基于所述刻蚀窗口在所述半导体衬底内形成多个间隔排布的栅沟槽，相邻栅沟槽之间为源区； 于各所述栅沟槽的底部及侧壁形成栅氧化层，于所述栅沟槽内及所述刻蚀窗口内形成多晶硅层； 去除所述硬掩模层，以显露所述多晶硅层的顶部侧壁； 于所述多晶硅层的顶部侧壁形成侧墙结构，所述侧墙结构遮挡部分所述源区，所述侧墙结构之间限定出显露所述源区表面的自对准窗口； 于所述自对准窗口中形成第一刻蚀阻挡层； 去除位于所述第一刻蚀阻挡层表面之上的侧墙结构和多晶硅层，显露所述第一刻蚀阻挡层与所述多晶硅层之间的源区； 基于所述阻挡层刻蚀去除所述栅沟槽内的部分多晶硅以形成第一凹槽，以及去除显露的部分源区以形成第二凹槽； 去除所述第一刻蚀阻挡层，以显露所述源区表面； 于所述源区上沉积第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层至少填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，去除所述源区表面之上的第二刻蚀阻挡层，直至显露所述源区表面； 以剩余所述第二刻蚀阻挡层作为自对准掩膜，刻蚀所述源区以在所述源区形成源极接触孔； 于所述源极接触孔中形成接触金属层和在所述半导体衬底正面上形成金属层。

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